收藏本站
IXTK 180N15P
180
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
320
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
160
140
120
V GS = 10V
9V
8V
280
240
200
V GS = 10V
9V
100
80
160
8V
60
7V
120
40
80
7V
20
0
6
40
0
6V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
9V
8
7V
6V
5V
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 10V
I D = 180A
I D = 90A
0
0.5
1
1.5 2 2.5
V D S - Volts
3
3.5
4
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
3.4
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Drain Current
90
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.1
2.8
2.5
2.2
T J = 175 o C
80
70
60
50
External Lead Current Limit
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 15V
V GS = 10V
T J = 25 o C
40
30
20
10
0
0
50
100
150 200
I D - Amperes
250
300
350
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2005 IXYS All rights reserved
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTK180N15 MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
IXTK200N10L2 MOSFET 100V 200A TO-264
IXTK200N10P MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
IXTK21N100 MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
IXTK22N100L MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264
IXTK250N10 MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA
IXTK32P60P MOSFET P-CH 600V 32A TO-264
IXTK33N50 MOSFET N-CH 500V 33A TO-264
相关代理商/技术参数
IXTK200N10L2 功能描述:MOSFET L2 Linear Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK200N10P 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK20N140 功能描述:MOSFET High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK20N150 功能描述:MOSFET 1200V High Voltage Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK210P10T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK21N100 功能描述:MOSFET 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK22N100L 功能描述:MOSFET N-CHAN 1000V 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK250N10 功能描述:MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube